三星更新半导体工艺路线图：计划2027年实现第四代2nm芯片量产

6月14日消息（苡臻）日前，星更新半芯片在圣何塞举行的导体第代三星晶圆代工论坛上，三星更新了其半导体工艺路线图，工艺目标是线量产自杀图片在 2027 年实现第四代 2nm 芯片的大规模生产，并在 2025 年量产升级版 4nm 硅芯片。图计

据了解，划年三星的实现2nm工艺路线涵盖了多个技术节点，首推SF2，星更新半芯片随后将依次推出SF2P、导体第代SF2X、工艺SF2Z、线量产圣诞树的图片SF2A。图计第一代 2nm工艺 SF2 将于 2025 年开始，划年升级版 SF2P 将于 2026 年准备就绪。实现

第四代SF2Z 工艺节点将于 2027 年投入量产，星更新半芯片将采用先进的烟雨江南图片背面供电网络（BSPDN）技术，以提高能效并降低温度。

此外，新的 SF4U 工艺被称为高价值 4 nm变体，利用 “光学收缩 ”技术提高了功率、性能和面积，计划于 2025 年实现量产。

三星晶圆代工业务总裁 Choi Si-young 表示，在围绕AI的众多技术不断发展的可爱图片素材今天，高性能、低功耗半导体至关重要。他提到，三星计划引入集成化、共封装光学技术，以实现高速、低功耗数据处理。

三星还指出，其全环绕栅极（GAA）晶体管架构在性能和良率方面正日趋成熟。1.4 nm工艺（SF1.4）的准备工作 “进展顺利，性能和良率目标均已如期实现”，并补充说，公司正在通过材料和结构创新 “积极塑造 ”未来低于 1.4 nm的工艺技术。

另外，一份来自行业研究机构TrendForce 的数据显示，第一季度三星在代工市场的份额同比持平，为 11%，而竞争对手台积电（TSMC）则占据了 61.7%。

今年 2 月，三星获得了日本初创公司 Preferred Networks 的 2nm AI芯片生产合同。而在上个月，为在高带宽内存芯片领域赶超竞争对手 SK海力士，三星更换了半导体业务主管。

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